官方微信 易配在线|加入收藏
联系我们|综合搜索

意法半导体-MOSFET

产品
莱米特奥托尼克斯内密控瑞普宜科
品牌首页 品牌介绍 资讯 产品分类 排行 经销商 资料下载
相关频道： MOSFET|场效应管
意法半导体产品分类

场效应管

  经销商 申请成为经销商

  • 想显示在这里，联系客服！

意法半导体MOSFET关注排行

意法半导体MOSFET 筛选

分类

：
不限MOSFET结型场效应管IGBT模块IPM模块PIM模块GTR达林顿模块其他场效应管模块

品牌系列

：
不限其他

晶体管极性

：
更多▼

漏源电压

：
更多▼

功耗

：
更多▼

晶体管封装类型

：
更多▼

针脚数

：
更多▼
展开更多选项

意法半导体MOSFET

共 9 家经销商

1 / 1

MOSFETSTD8N65M5

MOSFETSTD8N65M5

晶体管极性：N沟道
漏源电压：650V
功耗：70W
晶体管封装类型：TO-252
针脚数：3
阈值电压：4V
电流, Id 连续：7000mA
更多参数>>
图片(1)下载(0)
暂无

MOSFETSTP3NK80Z

MOSFETSTP3NK80Z

晶体管极性：N沟道
漏源电压：800V
功耗：70W
晶体管封装类型：TO-220
针脚数：3
阈值电压：3.75V
电流, Id 连续：2500mA
更多参数>>
图片(1)下载(0)
暂无

MOSFETSTD4NK60ZT4

MOSFETSTD4NK60ZT4

晶体管极性：N沟道
漏源电压：600V
功耗：70W
晶体管封装类型：TO-252
针脚数：3
阈值电压：2.3V
电流, Id 连续：4000mA
更多参数>>
图片(1)下载(0)
暂无

MOSFETSTD3NK80ZT4

MOSFETSTD3NK80ZT4

晶体管极性：N沟道
漏源电压：800V
功耗：70W
晶体管封装类型：TO-252
针脚数：3
阈值电压：3.75V
电流, Id 连续：2500mA
更多参数>>
图片(1)下载(0)
暂无

MOSFETSTN1NK80Z

MOSFETSTN1NK80Z

晶体管极性：N沟道
漏源电压：800V
功耗：2.5W
晶体管封装类型：SOT-223
针脚数：4
阈值电压：3.75V
电流, Id 连续：250mA
更多参数>>
图片(1)下载(0)
暂无

MOSFETSTB6NK60ZT4

MOSFETSTB6NK60ZT4

晶体管极性：N沟道
漏源电压：600V
功耗：110W
晶体管封装类型：TO-263
针脚数：3
阈值电压：3.75V
电流, Id 连续：3000mA
更多参数>>
图片(1)下载(0)
暂无

MOSFETSTD3NK60ZT4

MOSFETSTD3NK60ZT4

晶体管极性：N沟道
漏源电压：600V
功耗：45W
晶体管封装类型：TO-252
针脚数：3
阈值电压：3.75V
电流, Id 连续：2400mA
更多参数>>
图片(1)下载(0)
暂无

MOSFETSTW4N150

MOSFETSTW4N150

晶体管极性：N沟道
漏源电压：1500V
功耗：160W
晶体管封装类型：TO-247
针脚数：3
阈值电压：4V
电流, Id 连续：4000mA
更多参数>>
图片(1)下载(0)
暂无

MOSFETSTD1NK60T4

MOSFETSTD1NK60T4

晶体管极性：N沟道
漏源电压：600V
功耗：30W
晶体管封装类型：SOT-23
针脚数：3
阈值电压：3V
电流, Id 连续：500mA
更多参数>>
图片(1)下载(0)
暂无
共 9 条  当前第 1 页 / 共 1 页

站点地图| 关于网站| 招聘信息| 法律声明| 联系我们| 友情链接

邮箱：1010196856@qq.com 客服热线：0571-88802870（工作时间：周一至周五8:30至17:30）
Copyright@2014-2016 www.epiol.com All Rights Reserved 版权所有：杭州锐联工业科技有限公司   浙ICP备13025252号-2   公安机关互联网站安全 浙公网安备33010502003191号

微信扫一扫


技术咨询