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IGBT模块高级搜索 IGBT模块共有：9款
	所属品牌飞兆半导体
主要参数	集电极直流电流 5.3A10A21A40A50A54A70A 集电极发射饱和电压 1.25V1.8V1.9V2.5V2.7V 功耗 60W83W150W165W167W290W312W 集电极发射电压 400V600V1.2kV 封装类型 TO-220ABTO-252AATO-247TO-263ABTO-3P 工作温度最高值 150°C175°C 针脚数 3
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符合您选择条件的IGBT模块共有：9款

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飞兆半导体FAIRCHILD SEMICONDUCTORIGBT模块HGTD1N120BNS9A

集电极直流电流：5.3A

集电极发射饱和电压：2.5V

功耗：60W

集电极发射电压：1.2kV

封装类型：TO-252AA

针脚数：3

工作温度最高值：150°C

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飞兆半导体FAIRCHILD SEMICONDUCTORIGBT模块HGTP12N60A4D

集电极直流电流：54A

集电极发射饱和电压：2.7V

功耗：167W

集电极发射电压：600V

封装类型：TO-220AB

针脚数：3

工作温度最高值：150°C

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飞兆半导体FAIRCHILD SEMICONDUCTORIGBT模块HGTG12N60A4D

集电极直流电流：54A

集电极发射饱和电压：2.7V

功耗：167W

集电极发射电压：600V

封装类型：TO-247

针脚数：3

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飞兆半导体FAIRCHILD SEMICONDUCTORIGBT模块FGA25N120ANTD

集电极直流电流：50A

集电极发射饱和电压：2.5V

功耗：312W

集电极发射电压：1.2kV

封装类型：TO-3P

针脚数：3

工作温度最高值：150°C

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飞兆半导体FAIRCHILD SEMICONDUCTORIGBT模块ISL9V3040S3ST

集电极直流电流：21A

集电极发射饱和电压：1.25V

功耗：150W

集电极发射电压：400V

封装类型：TO-263AB

针脚数：3

工作温度最高值：150°C

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飞兆半导体FAIRCHILD SEMICONDUCTORIGBT模块HGTG20N60B3D

集电极直流电流：40A

集电极发射饱和电压：1.8V

功耗：150W

集电极发射电压：600V

封装类型：TO-247

针脚数：3

工作温度最高值：150°C

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飞兆半导体FAIRCHILD SEMICONDUCTORIGBT模块FGP5N60LS

集电极直流电流：10A

功耗：83W

集电极发射电压：600V

封装类型：TO-252AA

针脚数：3

工作温度最高值：150°C

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飞兆半导体FAIRCHILD SEMICONDUCTORIGBT模块ISL9V3040D3ST

集电极直流电流：21A

集电极发射饱和电压：1.9V

功耗：150W

集电极发射电压：400V

封装类型：TO-252AA

针脚数：3

工作温度最高值：175°C

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飞兆半导体FAIRCHILD SEMICONDUCTORIGBT模块HGTG20N60A4D

集电极发射饱和电压：2.7V

功耗：290W

集电极发射电压：600V

封装类型：TO-247

针脚数：3

工作温度最高值：150°C

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