中国前十大半导体投资案 总额直逼1000亿美元

随着全球移动芯片市场的爆发性增长，重塑了半导体产业格局，也给中国半导体产业带来了弯道超车的机会。自2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》发布并同期成立国家集成电路产业领导小组和国家集成电路产业投资基金以来，中国各地政府围绕集成电路产业发展进行战略部署，提升中国半导体产业在设计、制造和封测等技术上的长足进步，吸引了各路资本的迅猛支持，加大自主创新的技术导入，推动了集成电路大时代的到来。

笔者通过梳理《国家集成电路产业发展推进纲要》发布前后中国半导体投资案例，发现近年来中国前十大半导体投资案总额直逼1000亿美元。其中就包括武汉新芯、紫光、海力士、合肥长鑫、三星、联电、英特尔、福建晋华、台积电、中芯国际等半导体厂商投资案。

1、武汉新芯240亿美元投资建立NANDFlash厂

武汉新芯240亿美元投资，投资金额排名第一。2016年3月28日，国家存储器基地项目揭牌落户武汉新芯，项目总投资达240亿美元（约1600亿元人民币）的存储器基地项目正式启动，项目投资总金额高达240亿美元，该工厂主要以生产Flash、DRAM等存储芯片为主，以及发展3DNAND技术。

该项目位于湖北武汉东湖高新区的光谷智能制造产业园，建设内容包括芯片制造、产业链配套等，将在5年内投资240亿美元，预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。而这一存储器基地项目以芯片制造环节为突破口，涵盖存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售等。

武汉新芯目标是将在2017年底或2018年初推出3DNAND产品以进入存储领域，虽然目前还无法赶上国际存储器大厂的水平，但是武汉新芯将作为一个长期发展目标，该新厂建成后产能也将达到20-30万片，未来将打造至少2座以上晶圆厂作为存储器制造基地。

目前三星、东芝、SK海力士、英特尔均为其3DNAND技术的发展投资建设或将要建设工厂，在Flash技术向3D技术切入的拐点，正给中国在NANDFlash领域的发展带来契机。武汉新芯也曾表示，3DNAND技术开始兴起，正好是中国存储产业弯道超车的切入点，也会自然把3DNAND技术的发展作为重点规划。

2、紫光在武汉兴建号称全球最大的3DNANDFlash厂

紫光在武汉兴建号称全球最大的3DNANDFlash厂，投资金额与武汉新芯并列第一。2016年12月30日，紫光集团正式宣布投资总额高达240亿美元，在武汉东湖高新区兴建全球最大3DNANDFlash厂。

紫光集团董事长赵伟国在当天表示：“我们在武汉投资两百四十亿美金的芯片工厂，已经正式动工，未来不断满足中国本土市场，和国家战略以及产业发展的需要。”紫光宣布兴建全球最大的3D储存型快闪记忆体（NANDFlash）厂位于东湖高新区的武汉未来科技城，，占地1，968亩，投资金额240亿美元，第一期计划2018年建成启用投产，2020年全部完工，月产能将达到30万片，年产值超过100亿美元。

据悉，这是由紫光集团联合国家集成电路产业基金（大基金）、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资，并结合武汉、上海、硅谷等研发人员，决定以自主研发投入生产3DNANDFlash设计、制造，打造成为全球最大单一NAND晶圆制造厂。

3、海力士于江苏无锡设厂进入第六期技术改造项目

海力士于江苏无锡设厂完成了六期技术改造项目，投资金额排名第三。自2015年以来，海力士在江苏无锡设厂建设12吋集成电路生产线六期等项目前期工作基本完成，总投资105亿美元。

SK海力士12英寸集成电路生产线六期技术升级项目利用SK海力士半导体(中国)有限公司自有存量土地，引进新设备，将半导体生产技术升级至1Y纳米级别。项目建设后，形成9万张/月12英寸集成电路的生产能力。

本次六期工程对现有的生产线进行提档升级，将现有的20nm级产品大部分升级至10nm级产品的同时，进一步降低10nm级产品的线宽。本项目建成后，全厂将形成总产量121K片/月12英寸集成电路芯片的生产能力，其中10nm级产品115K片/月，20nm级6K片/月。

4、合肥长鑫兴建12寸晶圆厂投产DRAM

合肥长鑫兴建12寸晶圆厂投产DRAM，投资金额排名第四。2017年5月，由合肥市政府支持的合肥长鑫公司宣布，预计由合肥长鑫投资72亿美元的金额，兴建12寸晶圆厂以发展DRAM产品，未来完成后，预计最大月产将能高达12.5万片的规模。

据悉，这家由合肥长鑫公司所创立，名称为Rui-Li积体电路公司的12寸晶圆厂，预计在2018年第1季开始安装生产设备，并且开始与晶圆供应商进行商谈，以确保2018年内获得稳定的晶圆供应。在晶圆厂建设完成之后，月产能预计将高达12.5万片，其规模与韩国SKHynix现在的产能差不多。

5、三星于西安设立半导体厂

三星电子于陕西西安设立半导体厂，投资金额排名第五。三星电子早在2012年宣布在陕西西安设立三星半导体西安工厂，工厂建设初期所投入23亿美元资金，并计划将在数年间对工厂阶段性地分批投资70亿美元。

根据计划，三星电子计划分三期建设完成，一期投资的12英寸闪存芯片项目在西安高新区开工奠基，到2013年年底达到设计产能后，每月可生产NAND闪存芯片10万片。三星半导体西安工厂自2014年起正式开始投入10nano级的NandFlash存储器产品的生产，生产能力以300毫米wafer为标准，将达到每月7~10万片，这是三星电子对海外半导体生产线投资规模最大的一次。

6、联电与厦门市政府、福建省电子信息集团合资成立12寸晶圆厂联芯集成电路

联电与厦门市政府、福建省电子信息集团合资成立联芯集成电路，投资金额排名第六。2015年3月晶圆代工厂联电与厦门市政府、福建省电子信息集团合资成立晶圆厂联芯集成电路开始动工，并在同年11月宣布，厦门12寸合资晶圆厂联芯集成电路制造（厦门）开始营运，这是首座两岸合资12寸晶圆厂，投资金额将达到62亿美元。

据悉，联芯集成电路12寸厂于2014年底筹建，预计2016年底投产，五年内估计将投资13.5亿美元（约425亿新台币），初期将投入40/55奈米晶圆代工，月产能可达6,000片12寸约当晶圆的数量，初期导入联电的55和40纳米量产技术。

从2015年3月动工以来，联芯集成电路仅花20个月就能量产客户产品，目前40奈米制程生产的通讯晶片产品良率已逾99%。十二寸晶圆计划于2016年12月试生产，2021年12月达产，规划总产能为每月5万片十二寸晶圆。

联电表示，选择在厦门设立晶圆厂，是因为位置离台湾较近，可获得台湾联电总部的无缝支持，厦门也具备完善的基础建设，可提供工程人才资源与各项后勤支持。据介绍，联电初期将以40纳米制程切入后，逐步过渡到最先进的28纳米，锁定通讯、信用卡、银联卡等芯片应用。

7、英特尔在辽宁大连的处理器厂转型为NANDFlash厂

英特尔在辽宁大连的处理器厂转型为NANDFlash厂，投资金额排名第七。2015年10月20日，英特尔宣布与大连政府配合，将原先以65纳米制程生产处理器芯片的中国大连厂，转型为生产最新的3D-NANDFlash芯片，总投资金额高达55亿美元。

据悉，根据英特尔投资金额与大连厂的产能建置来评估，每个月至少可布建30,000-40,000片的3D-NANDFlash。英特尔大连厂在2010年完工，原先规划以12寸晶圆搭配65纳米制程来生产中央处理器为主，但经营绩效不如预期。此次转型生产最先进的3D-NANDFlash，除了可以提升大连厂的生产绩效外，也可望搭上中国内存消耗量起飞的快速成长期，以及最重要的配合中国政府积极投入内存产业的大趋势。

8、福建晋华与联电合作，于福建晋江智能装备产业园内设立12寸DRAM厂

福建晋华与联电合作，于福建晋江智能装备产业园内设立12寸DRAM厂，投资金额排名第八。2016年5月，福建晋江与福建省晋华集成电路（集成电路）公司签约合作的12寸厂，负责DRAM的技术开发与生产的工作，投资金额达到53亿美元。

福建省晋华集成电路有限公司(简称晋华公司)是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资的集成电路生产企业，联电与晋华集成电路公司合作，联电提供DRAM相关制程技术开发，预计在2019年前于福建晋江建立12寸DRAM生产线。

据了解，该12寸厂初期将导入32纳米制程，规划每个月6万片12寸晶圆产能，投入DRAM与相关产品的研发、制造和销售，预计2018年9月开始试产。联电提供技术主要应用在利基型DRAM的生产，由晋华提供设备与资金，并支付联电技术报酬金做为开发费用，而最终开发成果由双方共同拥有。