2015/12/14 16:14:41
安森美半导体(ON Semiconductor)，推出实现新的高通快速充电3.0协议的参考设计。新协议的效能较现有快速充电2.0方案显着提升。高能效、小型的参考设计，支援高通用于智慧手机和平板电脑的下一代快速充电技术——快速充电3.0高压专用充电埠(HVDCP) A类和B类规格，并兼容旧的快速充电2.0协议。
高通快速充电3.0技术是高通子公司高通科技的产品。安森美半导体推出完整参考设计并符合UL认证，有助于可携式应用的小型充电器的快速发展，提供领先业界的高效能。
这参考设计的亮点是新的NCP4371次级端充电控制器，支援充电器USB总线电压根据手机或可携式设备的需求而变化。为优化电池充电时间，USB总线电压可在3.6 V-20 V以分立步骤控制。这新的充电控制器也适用于A4WP无线充电应用，电压可基于参考设计的发射(TX)部分进行优化。
NCP4371也无需次级并联稳压器就能完成一个充电器设计，节省了成本和所需空间。初级端控制器是安森美半导体的NCP1361 PSR准谐振PWM控制器，同步整流控制器是NCP4305。这两种控制器的结合成就高能效充电器的设计，符合欧盟能效标准(CoC Tier-2)要求。
安森美半导体AC-DC电源转换部总监Shane Chilton说：“快速充电能力正迅速获得所有便?式设备厂商的认可。我们很高兴能就下一代电源方案与高通合作，这符合我们致力为客户提供创新高效能方案的策略。”